例4-11 排列出Au、 CO?、 HCl、HF品體熔點(diǎn)高低的順序。
解: Au為金屬晶體,離子間作用力為金屬鍵:;CO?為非極性分子,分子間作用力為很弱的色散力; HCl為強(qiáng)極性分子晶體,分子間作用有色散力、誘導(dǎo)力、取向力; HF 除具有HCI所 有作用力外,分子間還有強(qiáng)烈的氫鍵作用。所以,熔點(diǎn)高低順序與微粒間作用力大小相一致: Au> HF > HCl>CO?。
4.4.2離子晶體
離子晶體中,晶格結(jié)點(diǎn)上有規(guī)則的交替排列著陰、陽(yáng)離子。通常把晶體內(nèi),某一粒子周圍 最接近的其他粒子的數(shù)目,稱為該粒子的配位數(shù)。例如,NaCl 晶體中,每個(gè)Na?周圍有6個(gè) Cl?,每個(gè)Cl?周圍有6個(gè)Na?,所以Na?和Cl?的配位數(shù)都是6。離子晶體中,陰、陽(yáng)離子在空間的排列狀況是多種多樣的,下面主要介紹三種典型的結(jié)構(gòu)類型。
4.4.2.1離子晶體的三種典型構(gòu)型
A CsCl型
如圖4-34 (a) 所示,負(fù)離子(CI?) 占據(jù)立方體的八個(gè)頂點(diǎn),正離子(Cs?) 處于立方體 的體心。正、負(fù)離子的配位數(shù)比為8: 8。許多晶體如TICI、CsBr、CsI 都屬于此類型。
B NaCl型
如圖4-34 (b) 所示,負(fù)離子(CI?)以面心立方方式排列,正離子(Na?) 填充在負(fù)離子形成的全部八面體空院中,正、負(fù)離子的配位數(shù)比為6:6。許多晶體,如堿金屬(Cs除 外)鹵化物,Ag的鹵化物(AgI 除外)及堿土金屬(Be 除外)氧化物和硫化物等均屬于NaCl型。
C 立方ZnS型
如圖4-34 (c)所示,負(fù)離子(S²?) 以面心立方方式排列,正離子(Zn²?) 占據(jù)一半四 面體空院中。正、負(fù)離子的配位數(shù)比為4: 4。屬于立方ZnS型的晶體有: Agl, BeO 以及Zn、Cd、Hg與S、Se、Te間形成的晶體等。
4.4.2.2 離子半徑與離子的電子構(gòu)型
離子與原子類似,核外電子都是以幾率的形式存在,所以很難確定離子的邊界。我們把離子晶體中正、負(fù)離子的平衡核間距看作是正、負(fù)離子半徑之和,它反映了離子在晶體中顯現(xiàn)出來(lái)的大小。常見簡(jiǎn)單離子的半徑大小見表4-15。
由表4-15可見,負(fù)離子的半徑一般大于正離子半徑。同一元素形成的不同離子,陰離子半徑大于原子半徑,陽(yáng)離子半徑小于其原子半徑,且陽(yáng)離子的電荷愈多,其半徑愈小,例如:
同一周期,主族元素的離子半徑隨著族數(shù)的遞增依次減小,如:
具有相同電荷數(shù)的同族離子,自上而下,半徑逐漸增大。在周期表中位于相鄰族左上方和右下方斜對(duì)角線上的元素離子半徑相近,如: