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       物理界面界面層模型示意圖見(jiàn)圖1－5－1（d）。
       Gibbs分割表面界面層模型和Guggenheim過(guò)渡層型界面層模型一直在界面化學(xué)中得到廣泛應(yīng)用。在此過(guò)程中亦有一些研究者在應(yīng)用這兩種界面層模型處理問(wèn)題時(shí)或在研究其他學(xué)科問(wèn)題而涉及到界面問(wèn)題時(shí)會(huì)摻和著自己一些看法，而這些看法往往在這兩種模型中并無(wú)提及，但卻是引人深思的。

       例如20世紀(jì)60年代的Ono和Kondo在討論中提出圖1－5－2那樣構(gòu)想。他們將Guggenheim過(guò)渡層型界面層分成兩層來(lái)考慮，此兩層以物理界面為界，過(guò)渡層界面層總厚度為△；其中B相界面層厚度為△B，故A相的界面層厚度：△A＝△－△B   [1－5－6]

       又如，眾所周知，表面現(xiàn)象理論在治金科學(xué)中有著廣泛的應(yīng)用。在曲英教授的專(zhuān)著——“煉鋼學(xué)原理”中介紹了國(guó)外研究者在液-液相反應(yīng)動(dòng)力學(xué)中應(yīng)用最廣的雙膜理論。雙膜理論把兩相傳質(zhì)過(guò)渡的阻力看作是集中在相界面兩側(cè)的兩層膜上，這兩層膜是相對(duì)穩(wěn)定的，不管兩相內(nèi)部湍流如何劇烈發(fā)展，但由于膜的阻抑，湍流不能到達(dá)界面。雙膜理論模型簡(jiǎn)單，處理容易，故而仍在煉鋼理論中應(yīng)用著。
       圖1－5－3為煉鋼中鋼渣與鋼水兩相反應(yīng)的雙膜理論的濃度分布示意圖。設(shè)金屬相組元A（濃度為C_A1）由于渣鋼反應(yīng)的結(jié)果逐漸過(guò)渡到渣中（濃度為C_A2）。又假設(shè)處在界面金屬側(cè)的膜中組元A的濃度為C_A1*，處在熔渣側(cè)的膜中組元A的濃度為C_A2*。由此可得在界面兩側(cè)金屬相的擴(kuò)散通量：J_A1＝k_A1（C_A1－C_A1*）

       熔渣相的擴(kuò)散通量：J_A2＝k_A2（C_A2－C_A2*）。在界面上當(dāng)化學(xué)反應(yīng)達(dá)到平衡時(shí)應(yīng)有關(guān)系：C_A2*/C_A1*＝K。依據(jù)上面三式可求得控制渣鋼反應(yīng)的平衡擴(kuò)散通量為：

J_A＝(C_A1－C_A2/K)／(1/k_A1+1/k_A2K)

       曲英教授指出：由于界面的影響，“雙重傳質(zhì)阻力的概念至今仍具有很大的實(shí)用價(jià)值。由于只有在兩相界面直接接觸時(shí)才能傳質(zhì)，所以一個(gè)相的運(yùn)動(dòng)必然影響另一相。”
       雙膜理論作為一個(gè)理論思路對(duì)形成物理界面界面層模型有重要的啟發(fā)作用。從雙膜理論中我們可以歸納出以下各點(diǎn)是與物理界面界面層模型的理論觀點(diǎn)相接近或是相合的。
       （1）雙膜理論認(rèn)為相界面兩側(cè)存在著相對(duì)穩(wěn)定的兩層膜。Guggenheim在闡述其過(guò)渡層型界面層模型時(shí)曾也稱(chēng)相間的過(guò)渡層為“膜”，但Guggenheim認(rèn)為只有一層“膜”，因而雙膜理論與Guggenheim過(guò)渡層型界面層模型不符。物理界面界面層模型主張各相均有自己的界面層，相間物理界面兩側(cè)有兩個(gè)界面層，亦就是兩個(gè)膜。因而雙膜理論對(duì)物理界面界面層模型的形成提供了啟示。
       （2）雙膜理論在鋼渣兩相擴(kuò)散反應(yīng)機(jī)制中并不把相界面置于可有可無(wú)的地位，而肯定相界面是這一反應(yīng)機(jī)制中一個(gè)環(huán)節(jié)，而且是一個(gè)重要環(huán)節(jié)。對(duì)鋼渣間擴(kuò)散通量J_A的數(shù)值有著決定性的影響。上述計(jì)算的J_A數(shù)值是指在界面處反應(yīng)很快的平衡狀態(tài)情況。當(dāng)界面反應(yīng)不夠快時(shí)必須考慮它對(duì)過(guò)程總速度的影響。而Gibbs分割表面型界面層模型和Guggenheim過(guò)渡層型界面層模型不承認(rèn)物理界面的存在，不考慮它的影響。因而雙膜理論給予物理界面界面層模型的另一啟示是必須考慮物理界面對(duì)界面熱力學(xué)過(guò)程的影響。
       （3）雙膜理論認(rèn)為在界面兩側(cè)膜中組元的濃度與其在同一側(cè)的相本體內(nèi)濃度不同，這點(diǎn)是對(duì)物理界面界面層模型形成的又一個(gè)啟示。顯然這點(diǎn)亦是與Gibbs和Guggenheim的界面層模型不同的。
       在上述這些研究者所做工作的啟示下，我們又從Fowkes提出的模型中得到了更大的啟迪。Fowkes研究工作的內(nèi)容均直接屬界面化學(xué)領(lǐng)域，故而Fowkes的工作對(duì)Guggenheim過(guò)渡層型界面模型的發(fā)展有著重要作用。之后的文章中將依據(jù)Fowkes的著作介紹這一模型。