硒化銦
中文名稱: 硒化銦英文名稱:Indium selenide,別名:硒化銦(III) 塊狀,三硒化二銦分子式: H2In2Se3
分子量: 466.52CAS號(hào): 12056-07-4
質(zhì)檢信息檢驗(yàn)項(xiàng)目 指標(biāo)含量, ≥99.9%(高純?cè)噭?/span>水溶解試驗(yàn) 合格水不溶物,% ≤0.02禁帶寬度: 0.5eVPSA: 0.79000LOGP: -0.91740
化學(xué)特性硒化銦又稱三硒化二銦是一種銦硒化物,Ⅲ-Ⅵ族化合物,具有不同的化學(xué)組成,暗黑色鱗塊狀,為新型的半導(dǎo)體功能材料,對(duì)濕敏感,密度5.67 g/mL at 25 °C(lit.)熔點(diǎn)890°C是典型的二維層狀半導(dǎo)體材料,帶隙范圍為1.24-1.54eV,具體的帶隙范圍取決于層數(shù)。硒化銦薄膜具有優(yōu)異的電子和光電特性。對(duì)于硒化銦物理性質(zhì)的研究已經(jīng)付出了相當(dāng)大的努力。已有報(bào)道已經(jīng)證明,暴露于環(huán)境條件下的二維材料器件由于界面引起的額外的散射而顯著的降低了載流子遷移率。通過(guò)In-Se熔融體的X射線衍射研究指出有五種二元化合物,In4Se3、InSe、In6Se7、In3Se4、In2Se3。其中研究最多的是InSe和In2Se3。In2Se3主要包括α、β、γ、δ和κ五種晶體結(jié)構(gòu)。能與氫、鹵素直接化合。溶于濃硫酸、三氯甲烷、稀氫氧化堿溶液、氰化鉀溶液和亞硫酸鉀溶液,微溶于二硫化碳,不溶于水、乙醇。
產(chǎn)品用途硒化銦用作材料科學(xué)。其中研究最多的是InSe和In2Se3。In2Se3是一種N型半導(dǎo)體化合物,可以應(yīng)用于光電轉(zhuǎn)化、光電傳感器、光催化、電子器件等領(lǐng)域。高k電介質(zhì)可以有效的屏蔽二維場(chǎng)效應(yīng)晶體管的庫(kù)倫雜質(zhì)散射(CI)。多層硒化銦晶體管顯示出高場(chǎng)效應(yīng)遷移率,AlO電介質(zhì)可以降低庫(kù)倫散射。硒化銦場(chǎng)效應(yīng)晶體管的電學(xué)穩(wěn)定性在實(shí)際應(yīng)用中起著至關(guān)重要的作用,而電學(xué)穩(wěn)定性體現(xiàn)在傳輸特性的滯后作用中。制備出的被六方晶氮化硼封裝在無(wú)水無(wú)氧環(huán)境中的少層InSe是高質(zhì)量光學(xué)和電子傳輸器件材料。在室溫和液氦溫度下的載流子遷移率分別超過(guò)10^3 cm^(2)V^(-1)s^(-1)和10^4 cm^(2)V^(-1)s^(-1)。而且,超薄InSe由于具有寬帶隙,可以允許晶體管很容易實(shí)現(xiàn)開(kāi)/關(guān),可被用于制作高速電子器件。由于半導(dǎo)體材料的光電功能(包括光吸收、發(fā)射和調(diào)制)取決于帶隙大小,光致發(fā)光光譜實(shí)驗(yàn)表明其帶隙在從塊體狀I(lǐng)nSe到雙層InSe轉(zhuǎn)變時(shí)增加了0.5eV,超薄InSe在光電子領(lǐng)域的應(yīng)用前景充滿光明。
生產(chǎn)方法通過(guò)In-Se熔融體的X射線衍射研究指出有四種二元化合物:In4Se3,InSe,In5Se6,In2Se3。在密閉的真空管中,按正確比例熔化組成元素能制得每種化合物。單晶硒化銦可以用 Bridgman–Stockberger 法制備,以一定比例的硒單質(zhì)和銦單質(zhì)為原料,在管式爐中高溫長(zhǎng)時(shí)反應(yīng),能制得硒化銦的每種化合物。In2Se3的水熱法合成研究較晚,將抗壞血酸在60℃條件下溶于乙醇溶液中,然后加入InCl3和Se粉,裝入反應(yīng)釜中后在220℃高溫下保持20小時(shí),得到了直徑為2-4μm的花狀γ-In2Se3球體。
產(chǎn)品信息 [重量] 5g [顏色] 黑色