碲化銦
中文名稱: 碲化銦
英文名稱:Indium telluride
別名: 碲化銦(III),三碲化二銦
分子式: In2Te3
分子量: 612.44
CAS號: 1312-45-4
質(zhì)檢信息
檢驗項目 指標
含量, ≥99.999%(高純試劑)
雜質(zhì)陽離子總量,% ≤0.001
水溶解試驗 合格
PSA: 0.12000
LOGP: -0.91740
化學特性
碲化銦又稱三碲化二銦是一種四方晶結構化學物質(zhì),黑色或藍灰色結晶物,周期表第m. Gr族元素化合物半導體,共價鍵結合,有離子鍵成分,密度5.8 g/cm3熔點667ºC。能與硝酸、鹵素反應,能與濃硫酸或發(fā)煙硫酸反應生成紅色溶液,空氣中穩(wěn)定,難溶于鹽酸,可溶于硝酸。真空中加熱易揮發(fā),蒸氣穩(wěn)定不分解。具有強的各向異性和金屬導電性質(zhì)。由銦和碲直接反應制取。10K時轉(zhuǎn)變?yōu)槌瑢w。
產(chǎn)品用途
碲化銦用作材料科學。其中研究最多的是InSe和In2Se3。In2Se3是一種N型半導體化合物,可以應用于光電轉(zhuǎn)化、光電傳感器、光催化、電子器件等領域。高k電介質(zhì)可以有效的屏蔽二維場效應晶體管的庫倫雜質(zhì)散射(CI)。多層硒化銦晶體管顯示出高場效應遷移率,AlO電介質(zhì)可以降低庫倫散射。硒化銦場效應晶體管的電學穩(wěn)定性在實際應用中起著至關重要的作用,而電學穩(wěn)定性體現(xiàn)在傳輸特性的滯后作用中。
制備出的被六方晶氮化硼封裝在無水無氧環(huán)境中的少層InSe是高質(zhì)量光學和電子傳輸器件材料。在室溫和液氦溫度下的載流子遷移率分別超過10^3 cm^(2)V^(-1)s^(-1)和10^4 cm^(2)V^(-1)s^(-1)。而且,超薄InSe由于具有寬帶隙,可以允許晶體管很容易實現(xiàn)開/關,可被用于制作高速電子器件。由于半導體材料的光電功能(包括光吸收、發(fā)射和調(diào)制)取決于帶隙大小,光致發(fā)光光譜實驗表明其帶隙在從塊體狀InSe到雙層InSe轉(zhuǎn)變時增加了0.5eV,超薄InSe在光電子領域的應用前景充滿光明。
生產(chǎn)方法
通過In-Te熔融體的X射線衍射研究指出有六種二元化合物:In4Te3,InTe,In3Te4,In2Te3,In3Te5和In2Te5。在密閉的真空管中,按正確比例熔化組成元素能制得每種化合物。
本發(fā)明屬于納米功能材料技術領域,公開了一種二維碲化銦納米片及其制得的偏振光探測器,所述碲化銦納米片是將銦粉和碲粉混合后加熱至480~520℃并保溫,然后降溫至460~480℃并保溫,再冷卻至室溫,在不同溫度下反應朝不同方向進行生長制得.該二維碲化銦納米片具有低面內(nèi)對稱性,由其制得的偏振光探測器依次包括重摻雜硅,二氧化硅絕緣層和二維材料碲化銦納米片,在所述二維材料碲化銦納米片的兩側制作金屬電極.由于二維材料碲化銦納米片具有各向異性等特點,使得偏振光探測器可以探測多角度的線偏振光.